术语“可编程逻辑器件”（英文ProgrammableLogicDevice，缩写为PLD）是逻辑芯片的别称。它指的是一种电子元件，俗称集成电路或芯片。PLD芯片既不是模拟芯片，也不是混合信号（包括数字和模拟电路）芯片；相反，它们是数字型电路芯片。

PLD的逻辑功能由用户对器件的编程决定。PLD被构建为通用集成电路。通用PLD的高集成度足以满足设计通用数字系统的要求。

嵌入式系统芯片的概念专门用于存储业务，如存储芯片。因此，通过将软件集成到单个芯片中，无论是系统芯片还是存储芯片，都可以实现多功能、高性能，并支持多种协议、多种硬件和多种应用。

逻辑芯片和存储芯片的区别

逻辑芯片的工艺目前还在20nm左右，比如Intel的CPU，而存储芯片都已逼近10nm，比如闪存，到底二者有何不同?

1、区别：两种芯片方式的根本区别在于晶体管的结构/工作模式，这两种芯片是相同的。

2、尺寸：根据门长指示，14/16nm FINFET的Lg现在不如2D NAND Flash的非接触式多晶硅的半节距，这是正确的。根据ITRS2015统计，前者为15纳米，后者为24纳米。

3、命名法：值得一提的是，半导体领域的非易失性存储器（Flash）和逻辑产品（MPU/ASIC）对其工艺节点（技术节点）有各种命名法。前者利用了接触金属的半节距，而后者（浮栅）则利用了非接触多晶硅的半节距。虽然后者的SL/BL的Lg大于节点数，但前者的物理Lg实际上小于节点数。

4、新结构：然而，随着最近新产品进入市场，例如FINFET和3D NAND，第三点的定义也发生了变化。考虑第二点中所示的14/16nm FINFET技术；接触金属线的半节距实际上是28nm，而不是标称的14/16nm。最小阵列半间距（Minimumarrayhalfpitch）大约为80nm，现在是3DNAND的节点名称。

5、估算：由于标称节点数与实际工艺参数的差异以及企业名称的差异而导致混淆的情况很常见，ASML提供了一个估算公式，可以根据各公司的实际工艺进行估算。目前业界通常采用接近标称节点数的参数计算得出的数字。

6、先进程度：目前，两种芯片的结构差异较大，且各自采用不同的评估方法，很难判断哪种工艺技术更先进。人们只能得出这样的结论：每个人都在沿着自己的道路前进，以实现更极致的表现。